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光刻機(jī)ASML CYMER光電模塊組件維修S111310

1：436nm g-line

可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產(chǎn)，對應(yīng)設(shè)備有接觸式和接近式光刻機(jī)。

2：365nm i-line

同樣可以滿足0.8~0.35微米制程芯片的生產(chǎn)。設(shè)備于上相同。

早期的光刻機(jī)采用接觸式光刻，即掩模貼在硅片上進(jìn)行光刻，容易產(chǎn)生污染，且掩模壽命較短。此后的接近式光刻機(jī)對接觸式光刻機(jī)進(jìn)行了改良， 通過氣墊在掩模和硅片間產(chǎn)生細(xì)小空隙，掩模與硅片不再直接接觸，但受氣墊影響，成像的精度不高。

3：248nm KrF

工藝節(jié)點(diǎn)提升至350~180nm水平，在光刻工藝上也采用了掃描投影式光刻，即現(xiàn)在光刻機(jī)通用的，光源通過掩模， 經(jīng)光學(xué)鏡頭調(diào)整和補(bǔ)償后， 以掃描的方式在硅片上實(shí)現(xiàn)曝光。

4：193nm ArF

制程提升至65nm的水平。四代光刻機(jī)是目前使用廣的光刻機(jī)，也是具有代表性的一代光刻機(jī)。

5：13.5nm EUV

1-4代光刻機(jī)使用的光源都屬于深紫外光， 五代EUV光刻機(jī)使用的則是波長 13.5nm的紫外光。目前只有ASML有能力生產(chǎn)。

目前光刻機(jī)市場主要的光刻機(jī)供應(yīng)商有荷蘭的ASML、日本的NIKON和CANON，以及中國的上海微電子裝備(SMEE)。

主營業(yè)務(wù)：提供維修服務(wù)

一、維修真空濺射鍍膜設(shè)備、等離子清洗設(shè)備、真空貼合機(jī)、設(shè)備上的電控部件:射頻電源、射頻器、靶材電源、高壓電源、微波電源、磁控濺射電源、中頻電源、高頻電源、遠(yuǎn)程等離子體源、霍爾離子源、脈沖電源、直流電源、氧化源電源、特種電源、匹配器、膜厚儀等。

二、維修儀器設(shè)備:試驗(yàn)機(jī)、檢測儀、分析儀、光度計(jì)、鐳射切割機(jī)、激光器等。

射頻電源設(shè)備主要服務(wù)于太陽能光伏、PVD鍍膜，半導(dǎo)體薄膜、離子注入、刻蝕，平板顯示，光盤、光電子LED等制造工藝以及科研院校、研究所等設(shè)備的高壓、直流、射頻電源。光刻機(jī)ASML CYMER光電模塊組件維修S111310，主要包括高壓電源HV PSU、射頻電源RFG、匹配網(wǎng)絡(luò)RF Match、直流電源DC POWER、微波發(fā)生器等，提供設(shè)備維修服務(wù)。