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20年 AXCELIS GSD200 離子注入機通訊控制板維修 電路板維修

常用的生產(chǎn)型離子注入機主要有三種類型：低能大束流注入機、高能注入機和中束流注入機，如下所示：

低能大束流離子注入機，0.2keV~100keV，超淺結、源漏注入、多晶硅柵注入等

高能離子注入機，~MEV，深埋層等

中束流離子注入機，幾百keV，柵閾值調(diào)整、輕摻雜漏區(qū)、SIMOX、Cut穿透阻擋層等

低能大束流離子注入機：大束流的注入機的束流可以達到幾毫安甚至幾十毫安。低于100keV，由于器件的特征尺寸不斷縮小，需要更低能的注入，以形成淺結或超淺結，有的大束流的注入機的低能可以達到0.2keV。

高能離子注入機：高能注入機可高達幾MeV。

中束流離子注入機：中束流注入機的注入在幾百keV范圍內(nèi)。

離子注入機由離子源、離子引入和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔組成，可以根據(jù)實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子，決定要注入離子的種類和束流強度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子，當外來電子高于原子的電離電位時，通過碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外，還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進入質(zhì)量分析器選出需要的離子，再經(jīng)過加速器，由四級透鏡聚焦后進入靶室，進行離子注入。

離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，離子注入是對半導體表面附近區(qū)域進行摻雜的技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、橫向擴散等方面進行控制，克服了常規(guī)工藝，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子注入機用于摻雜工藝，可以滿足淺結、低溫和控制等要求，已成為集成電路制造工藝中可少的裝備。

具有主動輸出級電流源或匯的反應或電阻性負載在整個輸出電壓范圍。這是必不可少的，以實現(xiàn)準確的輸出響應和高轉換率要求的反應性負載。

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